Technology
電泳沉積反應式切片技術
液氣輔助化學機械拋光技術
液氣輔助化學機械拋光技術
利用電泳沉積輔助鑽石線切割裝置，使冷卻液槽中的反應粒子被電場力作用吸附至鑽石線上，使材料表面產生軟化層，再由鑽石線以機械力方式將軟化層移除，達到改善晶圓品質
液氣輔助化學機械拋光技術
液氣輔助化學機械拋光技術
液氣輔助化學機械拋光技術
藉由氣體混合容器，使拋光液混入反應氣體，藉此提高拋光液對於基板之化學反應，產生硬度較軟的氧化層，提升碳化矽基板之材料移除率
SiC晶圓修復技術
Post CMP表面潔淨度控制技術
Post CMP表面潔淨度控制技術
針對碳化矽生產過程中有缺陷的次級品晶圓，對微管（Micropipe)進行孔洞填補，及表面缺陷鈍化，將其修復成為正片
Post CMP表面潔淨度控制技術
Post CMP表面潔淨度控制技術
Post CMP表面潔淨度控制技術
利用獨創的post CMP技術達到表面粒子控制 <80ea 0.3um 以及表面金屬離子汙染 <1E+11.